Semiconductor divizija Samsung Foundry objavila je da je započela proizvodnju 3nm čipova u svojoj fabrici u Hwasongu. Za razliku od prethodne generacije, koja je koristila FinFet tehnologiju, korejski gigant sada koristi GAA (Gate-All-Around) tranzistorsku arhitekturu, što značajno povećava energetsku efikasnost.
3nm čipovi sa MBCFET (Multi-Bridge-Channel) GAA arhitekturom će dobiti veću energetsku efikasnost, između ostalog, smanjenjem napona napajanja. Samsung takođe koristi nanoplatne tranzistore u poluprovodničkim čipovima za pametne telefone visokih performansi.
Fotogalerija
U poređenju sa tehnologijom nanožica, nanoploče sa širim kanalima omogućavaju veće performanse i bolju efikasnost. Prilagođavanjem širine nanoploča, Samsung klijenti mogu prilagoditi performanse i potrošnju energije svojim potrebama.
Moglo bi vas zanimati
U poređenju sa 5nm čipovima, prema Samsungu, novi imaju 23% veće performanse, 45% manju potrošnju energije i 16% manju površinu. Njihova druga generacija bi tada trebala ponuditi 2% bolje performanse, 30% veću efikasnost i 50% manju površinu.
“Samsung brzo raste dok nastavljamo da demonstriramo liderstvo u primeni tehnologija sledeće generacije u proizvodnji. Cilj nam je da nastavimo ovo vodstvo s prvim 3nm procesom sa MBCFETTM arhitekturom. Nastavit ćemo aktivno inovirati u konkurentskom tehnološkom razvoju i stvarati procese koji pomažu ubrzavanju dostizanja tehnološke zrelosti.” rekao je Siyoung Choi, šef Samsungovog sektora poluprovodnika.
